সব পণ্য
-
গ্রেগ ব্লেডস1. সেরা সেবা, সেরা মূল্য 2আশা করি ভবিষ্যতে আমরা একসাথে আরো ব্যবসা করতে পারব। 3তোমার সেবা এত ভালো যে, আমি নানচাং সিজে-৬ ভ্রাতৃত্বের মধ্যে সিসিয়ান ফরওয়ার্ড সম্পর্কে ভালো কথা ছড়িয়ে দেব। -
আরশাদ সালিম1আমি সরাসরি কোন কোম্পানির সাথে যোগাযোগ করব না, তুমিই হবে আমার সোর্স চীনে। 2আপনারা সবাই দারুণ, আমাদের সহযোগিতা অনেক সুচারু এবং সফল।
এভিয়েশন পার্টস IRFR9214PBF MOSFET পি-চ্যান ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ 250 V
| মডেল নম্বার | IRFR9214PBF |
|---|---|
| ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ | 1 পিসিএস |
| মূল্য | আলোচনাযোগ্য |
| প্যাকেজিং বিবরণ | বাক্স |
| পরিশোধের শর্ত | এল/সি, টি/টি |
পণ্যের বিবরণ
| প্রস্তুতকারক | বিষয | পণ্য তালিকা | MOSFET |
|---|---|---|---|
| প্রযুক্তি | সি | মাউন্ট শৈলী | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ/কেস | TO-252-3 | ট্রানজিস্টরের পোলারিটি | পি-চ্যানেল |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট | 2.7 ক | Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ | 3 ওহম |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা | IRFR9214PBF বিমানের যন্ত্রাংশ,২৫০ ভোল্ট এভিয়েশন পার্টস,250 ভোল্ট IRFR9214PBF MOSFET |
||
পণ্যের বর্ণনা
এভিয়েশন পার্টস IRFR9214PBF MOSFET পি-চ্যান ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ 250 V
এভিয়েশন যন্ত্রাংশের বর্ণনা:
Vishay থেকে তৃতীয় প্রজন্মের শক্তি MOSFETs প্রতি সিলিকন এলাকায় কম অন-প্রতিরোধ অর্জন করতে উন্নত প্রক্রিয়াকরণ কৌশল ব্যবহার করে।এই সুবিধা, দ্রুত স্যুইচিং স্পিড এবং রগডাইজড ডিভাইস ডিজাইনের সাথে মিলিত যা পাওয়ার MOSFET এর জন্য সুপরিচিত, ডিজাইনারকে বিভিন্ন ধরণের অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য একটি অত্যন্ত দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য ডিভাইস সরবরাহ করে।DPAK বাষ্প ফেজ, ইনফ্রারেড, বা তরঙ্গ সোল্ডারিং কৌশল ব্যবহার করে পৃষ্ঠ মাউন্ট করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।সোজা সীসা সংস্করণ (IRFU, SiHFU সিরিজ) হল থ্রু-হোল মাউন্টিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য।সাধারণ সারফেস-মাউন্ট অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে 1.5 ওয়াট পর্যন্ত শক্তি অপচয়ের মাত্রা সম্ভব।
এভিয়েশন যন্ত্রাংশের বৈশিষ্ট্য:
- উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি
- সম্পূর্ণরূপে তুষারপাত রেট
- সারফেস-মাউন্ট (IRFR9214, SiHFR9214)
- স্ট্রেইট লিড (IRFU9214, SiHFU9214)
- পি-চ্যানেল
- দ্রুত স্যুইচিং
এভিয়েশন যন্ত্রাংশের স্পেসিফিকেশন:
| পণ্য বৈশিষ্ট্য | বৈশিষ্ট্য মান |
| প্রস্তুতকারক: | বিষয |
| পণ্য তালিকা: | MOSFET |
| RoHS: | বিস্তারিত |
| প্রযুক্তি: | সি |
| মাউন্ট শৈলী: | এসএমডি/এসএমটি |
| প্যাকেজ / কেস: | TO-252-3 |
| ট্রানজিস্টর পোলারিটি: | পি-চ্যানেল |
| চ্যানেলের সংখ্যা: | 1 চ্যানেল |
| Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: | 250 ভি |
| আইডি - ক্রমাগত ড্রেন বর্তমান: | 2.7 ক |
| Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ: | 3 ওহম |
| Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs থ - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: | 4 ভি |
| Qg - গেট চার্জ: | 14 nC |
| ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: | - 55 সে |
| সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: | + 150 সে |
| Pd - শক্তি অপচয়: | 50 ওয়াট |
| চ্যানেল মোড: | বর্ধন |
| সিরিজ: | IRFR/U |
| প্যাকেজিং: | নল |
| ব্র্যান্ড: | বিষয় সেমিকন্ডাক্টরস |
| কনফিগারেশন: | একক |
| উচ্চতা: | 2.38 মিমি |
| দৈর্ঘ্য: | 6.73 মিমি |
| পণ্যের ধরন: | MOSFET |
| ফ্যাক্টরি প্যাক পরিমাণ: | 3000 |
| উপশ্রেণি: | MOSFETs |
| প্রস্থ: | 6.22 মিমি |
| একক ভর: | 0.011640 oz |
প্রস্তাবিত পণ্য